Что показывает величина статического коэффициента передачи по току

Опции темы

Поиск по теме

Наименование:
Модуль Коэффициента Передачи Тока на высокой частоте

Даже частично переведя шифровку «модуль» все равно не могу понять смысла:

В энциклопедии сказано:
1) [ Общее понятие ]. Понятие модуль (от лат. modulus — «маленькая мера») в общем означает составную часть, отделимую или хотя бы мысленно выделяемую из общего. Модульной обычно называют вещь, состоящую из чётко выраженных частей, которые нередко можно убирать или добавлять, не разрушая вещь в целом.
. Ссылка

2) [ Понятие модуля в математике ]. Абсолютная величина или модуль вещественного числа x есть расстояние от x до нуля.
. Ссылка

Сорок человек просмотрели тему, а ни кто не ответил. Почему вы не хотите мне помочь?

2) Понятие модуля в математике. Абсолютная величина или модуль вещественного числа x есть расстояние от x до нуля.
.

Из-за этого обстоятельства на одни транзисторы указывают модуль на другие нет?

Что подразумевает понятие комплексная величина?

Все это все равно слишком абстрактно для моего юного ума.

Источник

Большая Энциклопедия Нефти и Газа

Статический коэффициент передачи тока Ь21э характеризует усилительные свойства транзистора. Статическим его называют потому, что этот параметр измеряют при неизменных напряжениях на его электродах и неизменных токах в его цепях. Большая ( заглавная) буква Э в этом выражении указывает на то, что при измерении транзистор включают по схеме ОЭ. Коэффициент Ь21э характеризуется отношением постоянного тока коллектора к постоянному току базы при заданных постоянном обратном напряжении коллектор-эмиттер и токе эмиттера. [2]

Статический коэффициент передачи тока составного транзис-стора Л21С ориентировочно можно считать равным произведению коэффициентов передачи тока составляющих его транзисторов. Составной транзистор дает большой эффект лишь при включении его с общим коллектором или общим эмиттером; с общей базой его усиление мало отличается от усиления одиночного транзистора ( так как Л21б1) и не используется. [3]

Зависимость статического коэффициента передачи тока от температуры ког / пуса. [4]

При измерении статического коэффициента передачи тока п2) Э в цепи базы испытуемого транзистора переменными резисторами R4 и R5 устанавливают определенный ток 1Б: 25, 50 или 100 мкА на пределе 0 1 мА для маломощных и 0 5, 1 мА на пределе 1 мА для мощных транзисторов. Ток в цепи коллектора 1К измеряют на пределе 1К10 мА для маломощных и на пределе 1К100 мА для мощных транзисторов. Максимальные значения статического коэффициента передачи тока будут соответственно равны 400, 200, 100 для маломощных и 200, 100 для мощных транзисторов. [8]

Приняв минимальное значение статического коэффициента передачи тока при большом сигнале Л21Э выбранного типа транзистора, с помощью формулы ( 5) проверяем соответствие транзистора по допустимой величине тока базы. [10]

При этом значение статического коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ не нормируется. [11]

Так как величина статического коэффициента передачи тока эмиттера aN больше статического коэффициента передачи тока коллектора а, величина динамического сопротивления открытого транзистора в нормальном включении оказывается меньше, чем в инверсном. [13]

Источник

h-параметры биполярного транзистора и особенности включений

Транзисторы относятся к сложным электронным приборам. Для их исследования, а также для расчёта электронных схем, где применяют транзисторы, разработана особая методика.

В этой методике транзистор рассматривают как «чёрный ящик», не обращая внимания на его внутреннюю структуру, с двумя входными и двумя выходными зажимами, то есть как четырёхполюсник. Транзистор способен усиливать по мощности подводимые к нему сигналы, поэтому он относится к группе активных четырёхполюсников, для эквивалентных схем которых характерно наличие генераторов тока или напряжения.

Ниже,на рисунке 1, изображены теоретически рассматриваемые варианты включений биполярного транзистора.

На приведенных выше схемах включений изображено по четыре клеммы (две входных и две выходных), то есть можно сказать что каждая из них представляет собой четырёхполюсник.

При работе на малых сигналах транзистор рассматривают как линейный активный четырёхполюсник который может быть охарактеризован при помощи z, y или h – параметров. Малым сигналом считают, если при увеличении его амплитуды на 50% измеряемый параметр (z,y или h) изменяется на малую величину согласно заданной степени точности. Обычно это изменение не должно превышать 10%. Между z, y или h – параметрами есть связи, которые описываются специальными формулами перехода, в соответствующей справочной литературе. Поскольку h-параметры получили наибольшее распостранение на них и акцентируем наше внимание.

Эквивалентная схема биполярного транзистора с применением h-параметров приведена ниже, на рисунке 2.

Принимая для этой схемы, что независимыми переменными являются входной ток I_m1 и выходное напряжение U_m2 , а зависимыми переменными входное напряжение U_m1 и выходной ток I_m2 можно составить систему уравнений (1), задействуя h-параметры:

h₁₁ = U_m1/I_m1, при U_m2 = 0, входное сопротивление;

h₂₁ = I_m2/I_m1, при U_m2 = 0, коэффициент передачи тока;

h₂₂ = I_m2/U_m2, при I_m1 = 0, выходная проводимость.

Входное сопротивление, h₁₁ — сопротивление транзистора входному переменному току при коротком замыкании на выходе. Изменение входного тока является результатом изменения входного напряжения, без влияния обратной связи от выходного напряжения.

Коэффициент обратной связи по напряжению, h₁₂ – безразмерная величина, показывающая какая доля выходного переменного напряжения передаётся на вход транзистора вследствие обратной связи в нём. Во входной цепи транзистора нет переменного тока (холостой ход), и изменение напряжения на входе происходит только в результате изменения выходного напряжения.

Коэффициент передачи тока (коэффициент усиления по току), h₂₁ — безразмерная величина, показывающая усиление переменного тока при нулевом сопротивлении нагрузки. Выходной ток зависит только от входного тока без влияния выходного напряжения.

Выходная проводимость, h₂₂ — внутренняя проводимость для переменного тока между выходными зажимами. Выходной ток изменяется под влиянием выходного напряжения.

При обозначении h – параметров, внизу, в зависимости от схемы включения, к цифровым индексам добавляется буква. Для схемы с общим эмиттером это h_11Э, h_12Э, h_21Э, h_22Э ; для схемы с общим коллектором — h_11К, h_12К, h_21К, h_22К ; для схемы с общей базой это h_11б, h_12б, h_21б, h_22б .

Особенности при различных схемах включения

Разработчики успешно создают радиоэлектронные схемы, используя в своих сложных расчётах и опытах различные комбинации из схем включения транзистора.

На рисунке 3, приведенном ниже, показаны применяемые на практике основные схемы включений.

С общим эмиттером (ОЭ)

Это наиболее распостранённая схема включения, которая даёт высокое усиление как по напряжению, так и по току, а следовательно и по мощности, благодаря чему она имеет преимущества перед схемами с ОК и ОБ. Схема имеет невысокое (порядка сотен Ом) входное сопротивление, но это всё же позволяет применять в ней переходные конденсаторы относительно небольшой ёмкости. Выходное сопротивление высокое, и достигает порядка десятков кОм, что можно отнести к недостаткам. Схема с ОЭ изменяет фазу сигнала на выходе по сравнению с фазой сигнала на входе на 180 градусов. Для её работы достаточно иметь всего лишь один источник питания. Применяется в усилителях низкой частоты, различных устройствах автоматики и т.п..

Источник

Что показывает величина статического коэффициента передачи по току

Доброго всем времени. Подскажите начинающему (с полной кашей головы) как правильно подбирать аналоги транзисторов? На что главное обращать внимание?
Вот для примера: Мне нужно подобрать аналог для T2142F. Что мне не понятно отмечу. Вот его ТТХ.

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 НА ЧТО ВЛИЯЕТ?

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 понятно

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 понятно

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 понятно

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 понятно

Предельная температура PN-перехода (Tj), град: понятно

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): Что за параметр?

Ёмкость коллекторного перехода (Cc), пФ: понятно

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 600 Что за параметр? На что влияет?
К примеру MJE13009 Имеет параметры чуть даже более T2142F но кроме Статический коэффициент передачи тока (hfe). У него он 13. Можно ли его использовать для замены?

Jemchug
Мудрый кот Карма: 19 Рейтинг сообщений: 166 Зарегистрирован: Сб окт 10, 2009 17:16:58 Сообщений: 1732 Откуда: Россия. Рейтинг сообщения: 0	Зарегистрируйтесь и получите два купона по 5$ каждый:https://jlcpcb.com/cwc

Pagot
Открыл глаза Зарегистрирован: Чт янв 30, 2014 13:50:54 Сообщений: 46 Рейтинг сообщения: 0

Martin76
Друг Кота Карма: 175 Рейтинг сообщений: 7616 Зарегистрирован: Пт фев 04, 2011 17:57:51 Сообщений: 16118 Откуда: Рыбинск Рейтинг сообщения: 0 Медали: 1	Приглашаем 9 декабря всех желающих посетить вебинар, посвященный технологии Ethernet и её новому стандарту 10BASE-T1S/L. Стандарт 802.3cg описывает передачу данных на скорости до 10 Мбит в секунду по одной витой паре. На вебинаре будут рассмотрены и другие новшества, которые недавно вошли в семейство технологий Ethernet: Synchronous Ethernet (SyncE), Precision Time Protocol (PTP), Time Sensitive Networking (TSN). Не останется в стороне и высокоскоростной 25G+ Ethernet от Microchip.

IRMADE

Держит паяльник хвостом Карма: 6 Рейтинг сообщений: 137 Зарегистрирован: Вс июл 13, 2014 09:42:26 Сообщений: 958 Рейтинг сообщения: 0

Внедрение автоматизированных систем контроля и учета всех видов энергоресурсов, невозможно без инструментов, позволяющих помимо измерения параметров, преобразовывать их для обработки цифровыми интеллектуальными системами. Микросхемы STPM32, STPM33 и STPM34 STMicroelectronics являются наиболее точными и высокопроизводительными представителями своего семейства и способны максимально точно измерять параметры электросети в системах электроснабжения переменного тока, а также осуществлять их первичную обработку. Рассмотрим подробнее их преимущества и средства разработки. Источник Параметры биполярного транзистора В радиолюбительской практике часто приходится подбирать транзисторы для их замены на аналогичные или выбирать нужные транзисторы при конструировании какого нибудь изделия по желаемым параметрам. Поэтому без справочников по транзисторам никак не обойтись. В них приведены основные параметры транзисторов как по постоянному, так и переменному току. Но не все знают, что они обозначают. Попробуем разобраться с этим. Биполярные транзисторы Обратный коллекторный ток Параметры транзистора по постоянному току характеризуют токи транзистора при включении перехода в обратном направлении. Низкочастотные параметры транзистора Для лучшего понимания происходящего в четырехполюснике транзистора покажем его эквивалентную схему ( рис.6 ). Тогда уравнения четырехполюсника с h-параметрами выглядят так: У современных транзисторов коэффициент обратной связи h12 почти равен нулю и позтому его можно не указывать на эквивалентной схеме. Для разных схем включения транзистора h-параметры определяются по формулам: h11б?h11э/(1+h21э); h12б?h11э•h22э/(1+h21э); h21б?-h21э/(1+h21э); h22б?h22э/(1+h21э); h11к?h11э; h12к?1; h21к?-(1+h21э); h22к?h22э. Например, возьмем старенький легендарный низкочастотный, маломощный транзистор МП41, и рассчитаем его входное и выходное сопротивления при включении с ОЭ по справочным данным: h11б = 25 Ом, h22б = 3,3 мкСм, h21э = 30. 60. Выходное сопротивление R вых. обратно пропорционально проводимости h22э: Высокочастотные параметры транзистора Емкость коллекторного перехода Сам по себе транзистор представляет собой кристалл с двумя p-n или n-p переходами. В следствии диффузии основных и неосновных зарядов в переходах образуются обедненные слоя с заряженными границами переходов (см. раздел «p-n переход», рис.a,b,c.), которые представляют собой своеобразные конденсаторы и называются барьерными емкостями. При подаче напряжения разной полярности на переходы они будет расширяться или сужаться, меняя при этом свою емкость. Эту эквивалентную схему можно использовать как модель для анализа происходящих процессов в транзисторе при подаче на него малого переменного напряжения, к примеру, с генератора. Из этого можно сделать вывод: транзисторы для работы в усилительном режиме нужно выбирать как можно с меньшей емкостью коллекторного перехода, особенно на высоких частотах. Предельная и граничная частоты коэффициента передачи тока. Предельная и граничная частоты коэффициента передачи по току приводятся в справочных данных как существенные параметры транзистора. Мы уже выяснили, что при увеличении частоты входного сигнала транзистора коэффициент усиления по току с определенного момента начнет уменьшаться из-за увеличения емкости коллекторного перехода. Но это только одна из причин падения усиления транзистора от частоты, хотя и немаловажная. С увеличением частоты сигнала проявляются инерционные свойства транзистора. Происходит отставание по фазе переменного тока коллектора от тока эмиттера. Это вызвано конечным значением времени перемещения носителей заряда от эмиттерного перехода к коллекторному через базу. И хотя время «пролета» составляет меньше 0,1 мкс, но при частотах в несколько мегагерц и выше это приводит к сдвигу фаз коллекторного и эмиттерного токов, что увеличивает ток базы и уменьшает коэффициент усиления. Так же к инерционным свойствам относится время на перезарядку емкостей коллекторного и эмиттерного переходов. Все эти паразитные явления приводят к уменьшению коэффициента усиления по току. Коэффициент шума Из этого определения следует, что для идеального «нешумящего» транзистора Кш будет равен единице, т.к. шумы будут обусловлены только сопротивлением источника сигнала: Из рис.11,12 можно сделать вывод, что коэффициент шума зависит от режима транзистора ( Iэ ) и температуры окружающей среды ( Т?С ), а так же от выходного сопротивления источника сигнала ( Rг ) и частоты сигнала. Чтобы получить как можно меньший уровень шумов транзистора в усилительном режиме необходимо определить наивыгоднейшие значения по току эмиттера и напряжению на коллекторе при оптимальном значении сопротивления источника сигнала. Этого можно добиться если выбирать Iэ=0,1. 0,5 мА, Uк=0,5. 2,5 В и как можно уже полосу рабочих частот. Источник ← Что попить при климаксе чтобы похудеть Что понимают под несчастным случаем → Вам также понравится Что предусмотрено на ранних этапах коррекционно развивающего обучения 02.01.202430.09.2023 admin 0 Амундсен что открыл в географии 5 класс 01.01.202413.09.2023 admin 0 список кодов стран мок 03.01.202424.09.2023 admin 0 Добавить комментарий Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены * Комментарий * Имя * Email * Сохранить моё имя, email и адрес сайта в этом браузере для последующих моих комментариев.